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IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor / bipolarer Transistor mit isoliertem Gate => spannungsgesteuerter Leistungstransistor der gegenüber vergleichbaren Hochspannungs-Leistungs-MOSFET und herkömmlichen bipolaren Leistungstransistoren verschiedene Vorteile hat, die ihn für den Einsatz in Stromrichterantrieben prädestinieren. IGBT sind mit Sperrspannungen bis ca. 6 kV verfügbar.
